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samedi 18 avril 2015

Le PCI-Express 4.0 n'arrivera pas avant fin 2016




Le PCI-Express 4.0, prochaine évolution de la norme, était attendu cette année, au plus tard. Le groupement d'intérêt PCI-SIG, qui gère cette norme, indique désormais qu'il faudra attendre fin 2016 pour voir débarquer sa prochaine version.

PCI-E
Le PCI-Express, on en parle depuis déjà plus de trois ans. Un an seulement après la ratification de la norme, qui commence à être effectivement utilisée (par les cartes graphiques ou les SSD en NVMe comme le 750 Series d'Intel), le PCI-SIG s'est attelé à faire progresser le PCI-Express vers sa version 4.0.

L'objectif est de doubler la bande passante, pour la faire évoluer de 8 GT/s (gigatransferts par seconde) à 16 GT/s. En théorie, on dispose ainsi d'un débit de 2 Go/s par ligne, ce qui revient à 32 Go/s maximum sur du PCI-E 16x.

Comme le rappellent nos confrères de Hardware.fr, Intel devait être en mesure de supporter cette nouvelle norme dès l'arrivée de Skylake-E, justement prévue pour la fin de l'année prochaine.Afin de laisser ses Broadwell-K vivre commercialement quelques mois de plus, Intel repousserait l'arrivée sur le marché de ses processeurs Skylake. Un décalage dans la roadmap dû au retard sur le procédé de gravure en 14 nm.




 

mardi 23 octobre 2012

Une roadmap d'Intel jusqu'au 10 nm en 2018



Une roadmap d’Intel vient de faire surface sur la Toile. Elle montre qu’Intel prévoit de sortir ses processeurs 10 nm au deuxième semestre 2017 ou au 1er semestre 2018 avec l’architecture Skymont qui sera un die shrink de Skylake.
La fuite ne donne pas de détails techniques, mais offre les noms de code, les finesses de gravure et les dates de sorties approximatives des prochaines architectures. Ainsi, Ivy Bridge, le die shrink des Sandy Bridge qui introduira le 22 nm et les FinFET est logiquement prévu pour le premier semestre 2012, probablement durant le deuxième trimestre (cf. « Ivy Bridge retardé à avril 2012 »).
À en croire la roadmap, la prochaine grande refonte de l’architecture répond au nom de code de Haswell. Il y a évidemment très peu d’informations à son sujet. Nous savons juste qu’elle devrait proposer le jeu d’instruction AVX2 qui pourra, entre autres, travailler sur des entiers en 256 bits (cf. « Les évolutions du x86 chez Intel, avec AVX2 »). Les rumeurs laissent aussi penser que ce processeur à huit cores disposera d’un pipeline à 14 étages, d’un cache L1 de 64 Ko pour les données et 64 Ko pour les instructions. C’est deux fois plus que sur les Ivy Bridge et Sandy Bridge. De même, le cache L2 serait quatre fois plus grand puisqu’il passerait de 256 Ko à 1 Mo. Enfin, le cache L3 serait multiplié par quatre et passerait de 8 Mo à 32 Mo. On reste par contre avec un cache 8-way associative pour le premier et deuxième niveau et un cache 16-way associative pour le troisième niveau, contre 12-way pour le Sandy Bridge. Intel parle aussi d’un nouveau design du cache et s’il est pour l’instant impossible de savoir réellement de quoi il s’agit, on se doute que la firme va tenter de réduire les temps de latence. L’architecture sera aussi compatible avec les instructions FMA3. Intel pense pouvoir commercialiser Haswell durant le premier semestre 2014.
ZoomLe die shrink de Haswell se nomme Rockwell et il introduira les premiers processeurs en 14 nm en 2015 après qu’Intel ait fabriqué ses premiers circuits en 2013. Ce sera la première fois qu’Intel vendra des CPU x86 gravés en moins de 20 nm. L’architecture devrait être fondamentalement identique à celle de Haswell, avec des optimisations de consommations et des montées en fréquences.
L’autre grande architecture arrivera au deuxième semestre 2016 ou au premier semestre 2017 et se nomme Skylake. On en sait encore moins sur cette architecture qui sera d’abord gravée en 14 nm avant de connaître un die shrink en 10 nm sous le nom de Skymont. Les premiers wafers utilisant cette finesse sont attendus en 2015 dans les laboratoires. Intel a déjà annoncé qu’il commençait à préparer le 7 nm qui arrivera après, probablement en 2020, si tout se passe comme prévu. Il est possible que le 10 nm inaugure la lithographie à ultra-violet extrême, alors qu’il a déjà annoncé en début d’année que le 14 nm utilisera les processus lithographiques classiques à immersion à laser à fluorure d’argon d’une longueur d’onde de 193 nm. Intel a déjà montré qu’ils étaient suffisants pour graver en 15 nm. Néanmoins, au-delà de cette finesse, les ultra-violets extrêmes sont probablement inévitables en raison des surcoûts liés à l’utilisation d’un laser à exciplexe, tels que ceux engendrés par le double patterning (cf. « Défis lithographiques à venir »).