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jeudi 26 mai 2016

Mémoire Flash: La PCM devient réellement une concurrente de la Flash

Avec 3 bits par cellule la mémoire PCM d'IBM pourrait remplacer la flash


Le monde cherche toujours une mémoire universelle, rapide comme la RAM, dense et non volatile comme la Flash, mais sans problème de fiabilité dans le temps. La PCM lui ressemble de plus en plus.

La mémoire à changement de phase (PCM ou PRAM) est une des plus prometteuses. Elle offre par nature une vitesse largement supérieure à la Flash (temps d'accès de l'ordre de la microseconde, contre environ 100 microsecondes pour la Flash) et est non volatile. Il restait encore à pouvoir la fabriquer avec une densité suffisante, ce que des chercheurs d'IBM ont réussi à faire.

Dense et fiable, la PRAM

IBM a mis au point une puce de 64 000 cellules de PCM chacune contenant 3 bits de données. Chaque cellule a résisté à 1 million de cycles d'écriture. IBM a par ailleurs résolu un des principaux problèmes de la PRAM : la perte de données à cause des variations de la température ambiante. Grâce à une nouvelle méthode de lecture des données, les chercheurs ont fiabilisé leur PCM entre 30 °C et 80 °C.
À 3 bits par cellule, la PCM devient réellement une concurrente de la Flash et plus seulement une technologie complémentaire réservée à des usages de niche. Il nous tarde de voir ce que les constructeurs pourront en faire dans les années à venir.

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