Pour atteindre une telle capacité, Toshiba est parvenu à faire tenir 16 puces de mémoire Flash NAND de 8 Go chacune. Ces modules sont gravés en 32 nanomètres et se logent dans une structure mesure 17 x 22 mm, pour seulement 1,4 mm d'épaisseur. Ils offrent une vitesse d'écriture de 21 Mo par secondes, et 55 Mo par seconde en lecture.
Cette avancée devrait, selon Toshiba, profiter aux terminaux mobiles grand public, tels que les téléphones intelligents, les tablettes tactiles ou les appareils photo numériques.
La production de ces modules débutera au quatrième trimestre et devrait trouver ses premières applications début 2011. Le fabricant lancera également des modules similaires affichant une capacité de 64 Go.
1 commentaire:
le iphone a déja 64Go ,il en aura certainement 128Go prochainement ,et plus rapide surtout,dans le futur les disques durs feront face a de la mémoire flash de stockage,plus performante que la mémoire morte des disques durs !!!
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